Titre original :
Étude des niveaux profonds à l'interface GaInAs/InP : influence sur le courant d'obscurité de photodiodes réalisées par MOCVD
- Langue : Français
- Discipline : Électronique
- Identifiant : Inconnu
- Type de thèse : Doctorat
- Date de soutenance : 01/01/1985
Résumé en langue originale
Réalisation et caractérisation de diodes GaInAs/InP. Mécanismes physiques à l'origine du courant d'obscurité. Méthodes capacitives appliquées à la caractérisation des photodiodes. Étude expérimentale du courant d'obscurité. Interprétation en termes d'émission thermoïonique à partir de centres profonds. Analyse capacitive des diodes MOCVD. Simulation du profil de concentration apparente de l'hétérojonction GaInAs/InP en présence de pièges.
AUTEUR
- Philippe, Pascal
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