Titre original :

Modélisation et caractérisation des diodes A.T.T. de forte puissance à l'arséniure de gallium en bande J(16 GHz)

  • Langue : Français
  • Discipline : Electronique
  • Identifiant : Inconnu
  • Type de thèse : Doctorat
  • Date de soutenance : 01/01/1984

Résumé en langue originale

Etude de l'influence de l'épaisseur de l'épitaxie et de la non uniformité thermique. Structure à deux zones de transit DDR. Etude expérimentale. On prend en compte les problèmes pratiques (thermiques et technologiques) posés par le fonctionnement de ces diodes

AUTEUR

  • Allam, Rachid
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