• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1984

Résumé en langue originale

Un code de simulation bidimensionnelle des technologies de fabrication de circuits intégrés au silicium, le code MOBIDIC a été développé. Il permet le calcul de la redistribution simultanée de plusieurs types de dopants lors d'enchaînements technologiques complexes. Ce rapport présente une synthèse des modèles utilisés, décrit les algorithmes numériques qui ont été développés et testés et résume les principaux résultats obtenus. Les profils de dopage réalisés par implantation ionique sont déterminés analytiquement ; compte tenu de la topologie du masque et des fonctions de répartition propres à chaque type d'impureté. Les étapes de recuits thermiques sont simulées en considérant les modèles de diffusivités spécifiques à chaque impureté et les effets de couplage dans le cas de procédés multidopants, les diverses équations de diffusion étant résolues par la méthode des éléments finis à l'aide d'éléments triangulaires quadratiques, l'intégration temporelle étant mené suivant un schéma implicite incomplet. La simulation des recuits en ambiance oxydante est réalisée grâce a un algorithme original alternant des étapes de diffusion et de la déformation de la structure. Cette méthode permet de prendre en compte des formes quelconques du profil d'oxyde et de tester de nouveaux modèles de diffusion anisotrope sous oxydation. Enfin, une technique nouvelle de raffinement local de maillage a été élaborée qui permet de réduire considérablement les temps de calcul nécessaires aux divers types de simulations. Plusieurs exemples d'applications du programme MOBIDIC sont décrits, ils regroupent les principales difficultés numériques. La qualité des résultats obtenus valide le programme et lui autorise un vaste champ d'application