• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1983

Résumé en langue originale

Pour étudier les propriétés et prévoir les performances d'un composant il est nécessaire d'en posséder un modèle théorique qui décrive son comportement le plus précisément possible et qui permette une meilleure compréhension des phénomènes physiques qui régissent son fonctionnement. La méthode utilisée est celle de Monte Carlo où le comportement des porteurs soumis aux champs électriques appliqués et recréé sur l'ordinateur à l'aide de tirages de nombres pseudo-aléatoires. Le composant considéré est un transistor MOS en régime d'inversion. Dans l'étape de mise au point, nous nous sommes intéressés à l'influence d'une surface limitant le matériau semiconducteur sur le comportement des porteurs dans un champ électrique parallèle à cette surface. Ensuite, nous avons considéré l'influence du champ électrique transversal nécessaire à créer l'inversion. Pour celà nous proposons trois modèles de dynamique électronique. L'un tient compte du caractère quantique du mouvement des électrons perpendiculairement à l'interface. Un second modèle, classique, considère l'interface comme un miroir parfait sur lequel les électrons se réfléchissent de façon spéculaire ou diffuse. Un troisième modèle, classique également, tient compte de la structure de l'interface de façon plus réaliste que le modèle précédent par la présence d'une couche nonstoechismétrique dans l'interface Si/SiOx/SiO2 où 0 < x < 2. La comparaison des résultats théoriques obtenus est faite avec des résultats expérimentaux donnés dans la littérature. Nous pouvons ainsi discuter la validité des trois modèles présentés.