• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1982

Résumé en langue originale

Calcul de la structure électronique des composés sio::(x) et des défauts de surface des semiconducteurs iv et iii-v, dans l'approximation des liaisons fortes par la méthode des interactions effectives. Calcul des limites de bande de sio::(2) sous forme analytique. Calcul des densités d'états partielles et totales de sio::(2) et comparaison aux résultats de photoémission et d'émission x. On montre ensuite que la structure électronique d'une surface avec défauts peut être calculée à l'aide d'un réseau bidimensionnel d'orbitales pendantes traité en liaisons fortes. Calcul des paramètres du modèle bidimensionnel