Titre original :
Etude théorique des défauts de surface des semiconducteurs et des composés SiOx
- Langue : Français
- Discipline : Electronique
- Identifiant : Inconnu
- Type de thèse : Doctorat
- Date de soutenance : 01/01/1982
Résumé en langue originale
Calcul de la structure électronique des composés sio::(x) et des défauts de surface des semiconducteurs iv et iii-v, dans l'approximation des liaisons fortes par la méthode des interactions effectives. Calcul des limites de bande de sio::(2) sous forme analytique. Calcul des densités d'états partielles et totales de sio::(2) et comparaison aux résultats de photoémission et d'émission x. On montre ensuite que la structure électronique d'une surface avec défauts peut être calculée à l'aide d'un réseau bidimensionnel d'orbitales pendantes traité en liaisons fortes. Calcul des paramètres du modèle bidimensionnel
AUTEUR
- Lohez, Dominique
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