Titre original :

Eléments de technologie des transistors à effet de champ de puissance à l'arséniure de gallium fonctionnant en hyperfréquences

  • Langue : Français
  • Discipline : Electronique
  • Identifiant : Inconnu
  • Type de thèse : Doctorat
  • Date de soutenance : 01/01/1982

AUTEUR

  • Arsène-Henry, Patrice
Droits d'auteur : Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.
Accès libre