Contribution à l'étude des défauts créés par irradiation dans du GaAs de type N
- Langue : Français
- Discipline : Physique des matériaux
- Identifiant : Inconnu
- Type de thèse : Doctorat
- Date de soutenance : 01/01/1982
Résumé en langue originale
Etude des défauts créés par irradiation d'électrons à température ambiante et à haute température permettant l'étude de la guérison des cellules solaires dégradées par des irradiations et de la faisabilité de substrat semi-isolant. Caractérisation des défauts par spectrométrie transitoire de niveaux profonds. Caractérisation de trois pièges e::(3), e::(4), e::(5) après irradiation à température ambiante et de leur recuit thermique. Apparition de trois autres pièges p1, p2, p3 pour une température supérieure à 200 °C dont on détermine la section de capture. Apparition de sept nouveaux pièges par irradiation à haute température. Etude de leur concentration et de leur taux d'introduction en fonction de la température et de la dose d'irradiation
AUTEUR
- Stievenard, Didier