Université Lille1 - Sciences et Technologies Caractérisation des défauts dans les structures M.O.S. par étude de transitoires périodiques Characterization of faults in mos structures by the study of periodic transients 621.381 Semiconducteurs MOS (électronique) Défauts ponctuels Text Electronic Thesis or Dissertation fr Etude de la capacité en régime statique : mesures c-v permettant de déterminer les états électroniques d'interface. Etude de la capacité en régime dynamique par transitoire non périodique et par transitoire périodique (technique dlts). Modèle permettant de déterminer les processus d'émission et de capture entre un niveau donne et les bandes de conduction et de valence et le sens du transitoire de capacité lie a cette variation de charge application/pdf 1 : 1 Mo https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1982/50376-1982-137.pdf Gallati Marie-Hélène 1900-01-01 124290779 1982-01-01 Electronique Université Lille1 - Sciences et Technologies 026404184 Doctorat non oui ddc:620 ASCII PDF 9999