Titre original :

Etude topographique par rayons X du comportement préplastique des dislocations dans un composé semi-conducteur de type III-V : l'antimoniure d'indium

  • Langue : Français
  • Discipline : Physique des matériaux
  • Identifiant : Inconnu
  • Type de thèse : Doctorat
  • Date de soutenance : 01/01/1981

AUTEUR

  • Kesteloot, Régis
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