Titre original :
Phénomènes de relaxation des porteurs libres dans le silicium de types P et N : contribution des transitions interbandes à la conductivité du P-Si dans le domaine des ondes millimétriques et de l'infrarouge lointain
- Langue : Français
- Discipline : Sciences physiques
- Identifiant : Inconnu
- Type de thèse : Doctorat
- Date de soutenance : 01/01/1980
Résumé en langue originale
Etude de la conductivité en fonction de la fréquence et de la température
AUTEUR
- Vindevoghel, Jean
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