Etude de l'influence de l'effet tunnel sur les performances, en bande X, des oscillateurs à diodes à avalanche à l'AsGa
- Langue : Français
- Discipline : Electronique
- Identifiant : Inconnu
- Type de thèse : Doctorat
- Date de soutenance : 01/01/1977
Résumé en langue originale
ETUDE DES EFFETS LIES A L'INJECTION DE PORTEURS POUR EFFET TUNNEL ASSISTE THERMIQUEMENT (T.F.E.) SUR LES CARACTERISTIQUES ET LES PERFORMANCES DES DIODES A AVALANCHE A PROFIL DIFFERENCIE (HIGH LOW): RAPPEL DES PROPRIETES HYPERFREQUENCES D'UNE DIODE FONCTIONNANT SELON LE MODE A.T.T. (AVALANCHE ET TEMPS DE TRANSIT), IMPORTANCE DU CHOIX DES CARACTERISTIQUES DE LA ZONE D'EMISSION ET INFLUENCE DU RETARD DE PHASE D'INJECTION DIFFERENT DE II::(2) (CAS DE L'AVALANCHE NORMALE). ETUDE THEORIQUE DE L'INFLUENCE D'UN "COURANT TUNNEL" SUR LES PERFORMANCES DES STRUCTURES "HIGH LOW" FONCTIONNANT EN BANDE X. ETUDE NUMERIQUE POUR PRECISER EN REGIME DYNAMIQUE ET STATIQUE (PETIT SIGNAL, LES CARACTERISTIQUES DE FONCTIONNEMENT) ET VERIFICATION DU FAIT QUE LES CARACTERISTIQUES ET LES PERFORMANCES CALCULEES THEORIQUEMENT EN REGIME NON LINEAIRE (RESISTANCE NEGATIVE, RDT), SONT VOISINES DE CELLES OBTENUES EXPERIMENTALEMENT.
AUTEUR
- Kennis, Patrick