• Langue : Français
• Discipline : Electronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/1977

Résumé en langue originale

La partie expérimentale de notre étude concerne la mise en évidence de l influence du bruit de génération recombinaison sur les performances de bruit des diodes à temps de transit au GaAs et de la saturation du bruit FM dans les structures AsGa haut RDT et l interprétation de ce dernier effet par l existence d un courant tunnel. La partie théorique concerne l élaboration d une théorie non linéaire permettant d expliciter quantitativement les 2 phénomènes décrits. Le premier chapitre concerne la présentation de la théorie non linéaire élaborée, le 2e chapitre présente les résultats numériques obtenus à partir de cette théorie et décrit les performances de bruit d une diode à temps de transit utilisé en oscillateur ou amplificateur, le dernier chapitre décrit les appareillages de mesure mis au point.