Élaboration et caractérisation physique par microscopies à champ proche de nanostructures semi-conductrices Microscopie champ proche Microscopie force atomique Microscopie effet tunnel Matériau semiconducteur Lithographie Technologie silicium sur isolant Nanostructure Caractérisation électrique 621.38152 Dans un premier temps, le microscope à force atomique (AFM) a été mis en oeuvre pour fabriquer des nanofils de silicium isolés du substrat. Après avoir développé une technique originale utilisant des impulsions de tension pour réaliser l'étape de lithographie par oxydation locale d'une surface de silicium par AFM, nous présentons les procédés technologiques permettant de graver les structures et de réaliser les contacts électriques. Des fils de silicium dont la largeur est inférieure à 15 nm pour une hauteur comprise entre 5 et 20 nm sont obtenus. Ces nanofils de silicium sont caractérisés du point de vue électrique par des mesures courant-tension. Nous notons que ce type de structure est très sensible aux défauts d'interface et à la qualité des surfaces. Ce travail ouvre la voie à la détection infrarouge par des composants "tout silicium". Dans un second temps, nous nous sommes intéressés à l'étude de systèmes autoorganisés. Tout d'abord, nous montrons qu'il est possible d'obtenir, en partant d'un substrat de silicium sur isolant préalablement aminci, des îlots de silicium reposant sur une surface isolante par chauffage de l'échantillon sous ultravide. Les conditions expérimentales sont optimisées et nous obtenons des îlots de silicium de forme hémisphérique et de rayon minimal de 5 nm. D'autre part, les boîtes quantiques d'arséniure d'indium dans de l'arséniure de gallium constituent le second système autoorganisé étudié. Cette fois, le microscope à effet tunnel sous ultravide a été mis en oeuvre pour caractériser d'un point de vue morphologique et spectroscopique ces boîtes quantiques qui sont des émetteurs de lumière particulièrement intéressants. Nous étudions notamment le phénomène d'autoalignement plan à plan des boîtes de manière quantitative et des études spectroscopiques à température ambiante montrent pour la première fois la localisation des fonctions d'onde associées au niveau fondamental et au premier niveau excité d'une boîte quantique. Electronic Thesis or Dissertation Text FR 2 : 197 Ko, 10 Ko https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2000/50376-2000-286-287.pdf https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2000/50376-2000-286.pdf Legrand Bernard 2000-01-01 Électronique Université Lille1 - Sciences et Technologies thesis.degree.grantor_1 026404184 Doctorat non oui Stievenard Didier intervenant_1 Stievenard Didier Université Lille1 - Sciences et Technologies ASCII PDF 201645 ASCII PDF 9999