• Langue : Français
• Discipline : Microondes et microtechnologies
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/2004

Résumé en langue originale

Les performances hyperfréquences des transistors MOS actuels permettent leur utilisation dans le domaine des ondes millimétriques. Cependant la conception des circuits se heurte au problème posé par les pertes des structures de transmission sur des substrats silicium standard. Dans ce contexte, il est nécessaire de développer des structures de propagation faibles pertes sur silicium. Nous présentons dans ce mémoire le développement d'une technologie 3D, pour réaliser des structures de transmission répondant à ces besoins. La comparaison des différentes structures de propagation développées dans cette étude montre que la technologie TFMS présente les meilleures performances en terme d'atténuation (0,2 dB/mm à 50 GHz). Ces lignes ont été utilisées pour le développement de filtres sélectifs à 50 GHz et 94 GHz (5,8 % de bande passante à 94 GHz). Une approche de type « reprise de process » a été utilisée pour la réalisation de circuits démonstrateurs zzj (amplificateurs à 10et 20 GHz).