Modélisation grand signal de mosfet en hyperfréquences : application à l'étude des non linéarités des filières SOI Transistors MOSFET -- Modèles mathématiques Mesures microondes Circuits pour microondes -- Modèles mathématiques Technologie silicium sur isolant 621.381 Les communications sans fil ne cessent d'intégrer la vie quotidienne moderne. Ces applications font partie intégrale du domaine des radiofréquences (RF),et elles se sont développées grâce au progrès des transistors et de leurs performances. Le transistor MOS sur substrat Si est une technologie très prometteuse pour ces applications, car elle présente une faible consommation en puissance, demande de faibles tensions de polarisation et ses performances sont suffisamment élevées. Dans cette thèse, nous avons développé un modèle non linéaire pour les transistors MOS utile pour les applications en hyperfréquences. Le modèle développé reproduit de manière très précise les caractéristiques hyperfréquences des transistors MOS, tant en régime petit signal qu'en régime grand signal. Il tient en compte l'effet kink, présent dans les composants partiellement désertés sur substrat SOI. Le modèle a été validé à travers des mesures grand signal à l'aide d'un analyseur de réseaux vectoriel non linéaire. L'extraction des paramètres du modèle est très rapide son implémentation dans un simulateur de circuits commercial est très simple. A l'aide de ce modèle, de nombreux circuits ont été conçus et réalisés en technologie MOS SOI. Text Electronic Thesis or Dissertation FR application/pdf 1 : 5095722 https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2004/50376-2004-Siligaris.pdf Siligaris Alexandre 2004-01-01 Microondes et microtechnologies Université Lille1 - Sciences et Technologies thesis.degree.grantor_1 026404184 Doctorat non oui Dambrine Gilles Danneville François Université Lille1 - Sciences et Technologies PDF ASCII 5095722