• Langue : Français
• Discipline : Micro-ondes et micro-technologies
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/2003

Résumé en langue originale

Des études menées depuis une vingtaine d'années ont mis en évidence les effets induits par l'introduction d'hydrogène dans le GaAs de type n dopé Si. En effet, il a été clairement établi que l'hydrogène atomique présent dans ce matériau induisait la passivation de ses atomes donneurs par la formation de complexes neutres ; ce qui explique la chute de la densité de porteurs libres en son sein. De plus, il a été également établi que cette passivation est réversible, soit par recuit thermique, soit par irradiation lumineuse, mais aussi par exposition à un faisceau d'électrons. Ces phénomènes nous ont permis d'imaginer une technologie novatrice pour la réalisation de composants submicroniques. Ce travail a donc visé à mettre au point et à démontrer la possibilité de réaliser des composants électroniques et optoélectroniques par écriture directe de zones conductrices à l'aide d'un masqueur électronique sur structure épitaxiale à base de GaAs hydrogéné.