• Langue : Français
• Discipline : Électronique
• Identifiant : Inconnu
• Type de thèse : Doctorat
• Date de soutenance : 01/01/2000

Résumé en langue originale

Le développement ou l'amélioration des nouvelles filières de transistor à effet de champ hyperfréquence ne peut s'envisager sans l'appui de la modélisation physique qui permet la prédétermination des caractéristiques et l'optimisation des structures. Le travail que nous présentons a pour objet l'élaboration d'un modèle physique bidimensionnel qui prend en compte les effets physiques spécifiques induits par une faible longueur de grille et la présence d'hétérojonctions. Dans la première partie, un tour d'horizon des différents modèles susceptibles de prendre en compte les phénomènes physiques rencontrés dans les composants destinés à l'amplification de puissance en gamme millimétrique est effectué. Une attention particulière est portée aux modèles hydrodynamiques semi-classique ou à correction quantique qui font l'objet de ce travail. Les méthodes numériques utilisées pour résoudre ce type de modèle sont alors décrites de manière approfondie. Dans la partie suivante, les résultats de la simulation d'un MESFET GaAs à recess de grille sont présentés. Ils mettent en évidence l'influence d'une part des méthodes numériques utilisées et d'autre part des termes inertiels de l'équation du moment lorsque la longueur de grille diminue. Enfin, la dernière partie de ce travail est consacrée à la simulation d'un transistor à effet de champ à hétérojonctions : le LM-HEMT sur InP. Plusieurs types de modèles d'hétérojonction sont comparés : le modèle de champ électrique équivalent et des modèles thermoïoniques. A cette occasion, leurs associations avec les modèles hydrodynamiques sont largement développées.