Université Lille1 - Sciences et Technologies Contribution au développement de composants et de dispositifs électroniques à base de semiconducteurs à large bande interdite III-N et diamant Contribution to the development of components and electronic devices based on III-N and diamond wide band gap semiconductors Transistors en diamant dopé au bore 621.381 52 Semiconducteurs à large bande interdite Transistors à effet de champ à dopage modulé Diamant -- Couches minces Diodes tunnel Détecteurs de rayonnement ultraviolet Cavités résonnantes (acoustique) Dispositifs à ondes acoustiques de surface This manuscript summarizes my research on the development of electronic components operating from a few megahertz up to terahertz, but also sensors based on wide band gap nitrides and diamond. My research activities are partly oriented to devices technology, semiconductor physics and materials processes. Large part is dedicated to (Al,In)GaN/GaN/Si HEMTs for microwave power applications , but also to the delta-doped diamond transistors. Another topic deals with quantum nano-components based on (Al,Ga)N/GaN/(Al,Ga)N semiconductor material such as resonant tunneling diodes, in order to investigate the electrical behavior. Two other kinds of sensors based on (B,Al,Ga)N wide bandgap materials have been developed such as XUV photodetectors and surface elastic wave devices in agreement with industrial needs. Each of these studies permits to highlight the key parameters necessary for the design of the components up to the technological process in clean room. Ce manuscrit constitue un document de synthèse des travaux de recherche visant essentiellement au développement de composants électroniques pour la réalisation de de dispositifs fonctionnant de quelques mégaHertz au téraHertz mais aussi de capteurs à base de matériaux semiconducteurs nitrures à large bande interdite et de diamant. Mes activités de recherche sont en partie orientées vers la technologie des composants, la physique des semiconducteurs ainsi que les procédés matériaux. Une grande part est consacrée au transistor à effet de champ HEMT (Al,In)GaN/GaN/Si pour des applications en amplification de puissance hyperfréquence mais aussi aux transistors tout diamant à dopage delta. Une autre thématique traite de nano-composants quantiques dans la filière des matériaux semiconducteurs AlN/GaN afin d’en étudier le comportement électrique comme les diodes à effet tunnel résonant. Enfin, deux autres filières de capteurs à base de matériaux à large bande interdite (B,Al,Ga)N ont été développées pour répondre aux besoins des industriels : les photodétecteurs X-UV et les dispositifs à ondes élastiques de surface. Chacune de ces études a permis de mettre en évidence les paramètres clés nessaires pour la réalisation du concept jusqu’à leur réalisation technologique en salle blanche. Electronic Thesis or Dissertation Text fr application/pdf 1 : 8936 Ko https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/HDR/2016/HDR2016LIL124.pdf Soltani Ali 1972-02-10 FR 061426644 2016-06-10 Microondes et microtechnologies Université Lille1 - Sciences et Technologies thesis.degree.grantor_1 026404184 HDR non oui De Jaeger Jean-Claude intervenant_1 061289949 École doctorale Sciences pour l'Ingénieur (Lille) ecoleDoctorale_1 147297028 Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (IEMN) partenaireRecherche_1 138736421 ddc:620 De Jaeger Jean-Claude Université Lille1 - Sciences et Technologies Université Lille1 - Sciences et Technologies École doctorale Sciences pour l'Ingénieur (Lille) Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (IEMN) ASCII PDF 9150656