• Langue : Français
• Discipline : Sciences physiques
• Identifiant : Inconnu
• Type de mémoire : Habilitation à diriger des recherches
• Date de soutenance : 01/01/2011

Résumé en langue originale

La grande demande en terme de composants performants, miniatures et surtout à faible consommation, est de plus en plus présente sur le marché des produits à base de semiconducteurs. Ce besoin est ressenti à tous les niveaux de la fabrication du composant, depuis l’épitaxie jusqu’au packaging du produit final. L’acteur principal dans cette course de haut niveau est la filière silicium qui, par la grande maturité de ses procédés de fabrication, arrive à faire un effort considérable sur la miniaturisation du composant tout en étant très limitée par les propriétés physiques du matériau. Ceci présente une grande opportunité pour les semiconducteurs III-V qui offrent un choix très varié de binaires (InP, GaAs, GaN, AlN, InAs, InSb, GaSb, InN ……) avec des propriétés électriques et optiques dépassant largement celles du silicium et du silicium-germanium. Dans le domaine de la microélectronique, ces matériaux sont utilisés principalement par les transistors HEMTs (High Electron Mobility Transistor) et HBTs (Heterojunction Bipolar Transistor) qui sont, à nos jours, en tête de course vers le seuil symbolique du Tera-Hertz. Le travail que nous présenteront dans cette HDR traite des transistors HEMT et HBT à dimension nanométrique pour des applications dans le domaine millimétrique. Nous commencerons par présenter l’historique de chacun de ces deux composants en les situant par rapport à la filière historique (silicium). Nous décrirons ensuite nos travaux de recherche et nous conclurons en donnant quelques perspectives.