• Langue : Français
• Discipline : Sciences physiques
• Identifiant : Inconnu
• Type de mémoire : Habilitation à diriger des recherches
• Date de soutenance : 01/01/2003

Résumé en langue originale

Ce mémoire est une contribution à l'étude par microscopie électronique en transmission (MET) de la relaxation des contraintes dans les hétérostructures semiconductrices fortement désadaptées. Deux faits saillants y sont rapportés. Premièrement, un protocole d'étude quantitative des hétérogénéités de contrainte, associées aux nanostructures cohérentes qui se fonnent lors de l'épitaxie, a été mis au point. La caractéristique principale de ces hétérostructures est l'apparition d'une transition 2D-3D du mode de croissance lors des premiers stades de croissance. Cette transition se manifeste par la formation de nanostructures 3D, dotées de propriétés optoélectroniques remarquables. Ces propriétés sont dues à la faible dimensionnalité de ces nanostructures mais aussi à leur caractère cohérent. Faute de preuves expérimentales tangibles, cette caractéristique a fait l'objet de nombreuses controverses au début des années dix-neuf cent quatre-vingt dix m++