Titre original :

Contribution à la réalisation technologique de transistors à effet de champ dans les filières GaAs, InP et GaN pour l'amplification de puissance hyperfréquence

  • Langue : Français
  • Discipline : Sciences physiques
  • Identifiant : Inconnu
  • Type de mémoire : Habilitation à diriger des recherches
  • Date de soutenance : 01/01/2000

AUTEUR

  • Boudart, Bertrand
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