Note ABES Guides d'onde à base de GaAs à basse température : vers un modulateur électro-optique intégré pour le moyen infrarouge. Waveguides based on low-temperature grown GaAs : towards an integrated, mid-infrared electro-optic modulator. Modulateurs Electro-Optique Semi-Conducteur Large bande Modulators Electro-Optic Semiconductor Broadband Électrooptique Semiconducteurs à l'arséniure de gallium Guides d'ondes optiques Lignes à bandes La modulation rapide d'amplitude et de phase est essentielle pour de nombreuses applications, notamment la stabilisation d'amplitude/fréquence laser, la détection cohérente, la spectroscopie FM/AM et la détection de gaz, le verrouillage de modes, les communications optiques, les contre-mesures militaires, etc.Malgré de récents résultats encourageants, dans la gamme du moyen infrarouge (MIR, ~ 3-12 ?m), les modulateurs restent largement sous-développés, ce qui freine les progrès de la photonique MIR. Jusqu'à présent, dans cette gamme spectrale, les seuls dispositifs disponibles dans le commerce sont (i) des modulateurs acousto-optiques en Ge bulk avec des bandes passantes de modulation étroites (~1 MHz) et pouvant atteindre des fréquences de modulation de ~100 MHz ; (ii) des modulateurs de phase électro-optiques résonants à bande étroite (~100 kHz), à base de GaAs et de CdTe bulk avec des fréquences pouvant atteindre ~20 GHz.Dans le cadre de ma thèse, j'ai étudié expérimentalement la possibilité de réaliser un modulateur électro-optique MIR large bande (~1-40 GHz) basé sur GaAs. L'objectif est de démontrer la faisabilité d'un dispositif entièrement intégré, compatible avec les plateformes photoniques MIR actuellement en cours de développement. Le dispositif proposé est un modulateur à ondes progressives basé sur un guide d'onde MIR composé d'un cœur en GaAs et de couches de confinement de Al0.52In0.48P en accord de maille pour le confinement vertical. Ce guide d'onde est intégré dans une ligne de transmission micro-onde pour la propagation du signal de modulation.Dans la première partie de la thèse, par simulation FDTD/HFSS j'étudie et optimise (dans la gamme ~ 8-10 ?m) deux modulateurs basés respectivement sur une ligne micro-onde microruban et une ligne coplanaire. L'objectif principal de cette étude est d'aboutir à une géométrie permettant de minimiser la distance entre les électrodes métalliques de la ligne de transmission, tout en maintenant des pertes ohmiques MIR raisonnables (~< 2dB/cm). De cette manière, on maximise le retard de phase électro-optique pour une tension appliquée donnée. Afin de permettre l'utilisation de tensions élevées, pour le cœur du guide d'onde nous avons choisi du GaAs obtenu par croissance à basse température, qui présente une résistivité d'environ 6 ordres de grandeur supérieure à celle du GaAs épitaxial, ainsi que des champs de claquage > 100÷200kV/cm.Dans la deuxième partie de la thèse, j'ai caractérisé expérimentalement les guides d'ondes MIR fabriqués. Pour ce faire j'ai mis en place un banc optique basé sur un laser à cascade quantique monomode, permettant de mesurer, en transmission, l'amplitude des oscillations Fabry-Pérot autour de 8,3 ?m de longueur d'onde. Avec ce banc, j'ai mené une étude systématique des pertes de propagation MIR en fonction des dimensions du guide d'onde et de la configuration des électrodes, démontrant, à ma connaissance pour la première fois, que le GaAs basse température (GaAs-BT) est non seulement adapté à la fabrication de guides d'onde MIR, mais permet également d'atteindre des pertes de propagation à l‘état de l'art, avec des valeurs inférieures à 1 dB/cm. Mon étude met également en évidence le rôle crucial de la rugosité des parois latérales dans la détermination des pertes de propagation. Les guides d'onde sont obtenus par MBE sur un substrat de GaAs semi-isolant et reposent sur un cœur de GaAs-BT partiellement gravé, situé au-dessus d'une couche de Al0.52In0.48P de 7 ?m d'épaisseur, afin de réduire les pertes par rayonnement. En utilisant ce guide d'onde, je présente, dans la dernière partie de la thèse, la première tentative de caractérisation d'un modulateur basé sur une ligne micro-onde coplanaire. Fast amplitude and phase modulation are essential for a number of applications, including laser amplitude/frequency stabilization, coherent detection, FM/AM spectroscopy and gas sensing, mode-locking, optical communications, military countermeasures, etc.Despite recent encouraging results, in the mid-infrared range (MIR, ~ 3-12 ?m), modulators remain largely underdeveloped, which hampers the progress of MIR photonics. So far, in this spectral region, the only commercially available devices are (i) bulky Ge acousto-optic modulators with narrow (~1MHz) modulation bandwidths, up to ~100MHz modulation frequency; (ii) narrow band (~100kHz) resonant electro-optic phase modulators based on bulk GaAs and CdTe with frequencies up to ~20GHz.In thesis I studied experimentally the possibility to realize a broadband (~1-40GHz) MIR electro-optic modulator based on GaAs. The aim is to demonstrate the feasibility of a fully integrated device compatible with the MIR photonic platforms that are currently under development. The proposed device is a travelling-wave modulator exploiting a MIR waveguide composed of a GaAs core, and lattice-matched Al0.52In0.48P as low-index cladding layer for vertical confinement. This waveguide is embedded in a microwave transmission line for the propagation of the modulating signal.In the first part of the Thesis, through FDTD/HFSS simulations, I investigate and optimize two modulator designs based respectively on a microstrip and a coplanar microwave line. The main goal of this study is to find a geometry that minimizes the distance between the metallic electrodes of the microwave -line, while keeping reasonably low MIR ohmic losses (~<2dB/cm). In this way we maximize the electro-optic phase-retardation for a given applied voltage. To allow the application of the highest possible voltages, for the waveguide core we chose GaAs grown at low temperature, thanks to its high resistivity, ~ 6 orders of magnitude higher than MBE-grown GaAs, and to its high breakdown field > 100÷200kV/cm.In the second part of the Thesis I have characterized experimentally the fabricated MIR waveguides by setting up a dedicated optical bench based on a single-mode quantum cascade laser, allowing to measure, in transmission geometry, the amplitude of the Fabry-Perot oscillations vs wavelength around 8.3 ?m. With this setup I have carried out a systematic study of the MIR propagation losses as a function of the waveguide dimensions and electrodes configuration, showing, to my knowledge for the first time, that low-temperature GaAs (LT-GaAs) is not only suitable to fabricate MIR waveguides but allows also reaching state-of-the art propagation losses below 1dB/cm. My study also shows the crucial role played by the sidewall roughness in determining the propagation losses. The waveguides are grown by MBE on a semi-insulating GaAs substrate and rely on a partially etched LT-GaAs core on top of a 7 ?m-thick, lattice matched Al0.52In0.48P layer to reduce radiation losses. Using this waveguide, in the final part of the thesis I present the first attempt to characterize a modulator based on a coplanar microwave line. Electronic Thesis or Dissertation Text fr PDF 7993544 https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/EDENGSYS/2025/2025ULILN016.pdf http://www.theses.fr/2025ULILN016/abes https://theses.hal.science/tel-05469780 https://theses.hal.science/tel-05469780 https://theses.hal.science/tel-05469780 Feukam Takoundjou Loic Feukam Takoundjou 1998-05-07 CM 293204233 https://theses.fr/2025ULILN016 2025ULILN016 https://doi.org/10.70675/c31333b1z97eez497dz8d7cz96ace092b99e 2025-10-09 Electronique, photonique Université de Lille (2022-....) 259265152 Doctorat Docteur es non oui Barbieri Stefano MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_1 165686669 Peytavit Émilien MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_2 070446407 Marris-Morini Delphine MADS_PRESIDENT_DU_JURY 085931349 Bousseksou Adel MADS_MEMBRE_DU_JURY_1 122689585 Dolfi Daniel MADS_RAPPORTEUR_1 158790847 Scalari Giacomo MADS_RAPPORTEUR_2 195791290 École graduée Sciences de l’ingénierie et des systèmes (Lille ; 2021-....) MADS_ECOLE_DOCTORALE_1 25860221X Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie MADS_PARTENAIRE_DE_RECHERCHE_1 1066983 138736421 Université de Lille (2022-....) MADS_PARTENAIRE_DE_RECHERCHE_2 259265152 Hauts-de-France. Conseil régional MADS_PARTENAIRE_DE_RECHERCHE_3 203650891 ddc:620 Barbieri Stefano Peytavit Émilien Marris-Morini Delphine Bousseksou Adel Dolfi Daniel Scalari Giacomo École graduée Sciences de l’ingénierie et des systèmes (Lille ; 2021-....) Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie Université de Lille (2022-....) Hauts-de-France. Conseil régional PDF 7993544