Note ABES Conception et réalisation de composants GaN innovants pour les applications de conversion de puissance au-delà du kilovolt Development and fabrication of GaN-based devices for kilovolt power converter applications Transistor à haute mobilité électronique (HEMT) 621.381 528 4 Nitrure de gallium Transistors à effet de champ Haute tension Électronique de puissance Transistors de puissance Tension de rupture Les transistors à haute mobilité électronique à base de Nitrure de Gallium sur substrat de silicium (GaN-sur-Si) sont des candidats prometteurs pour les futures générations de convertisseur de puissance. Aujourd’hui, plusieurs verrous techniques ralentissent la commercialisation de cette technologie au niveau industriel, en particulier pour les applications requérant de haute tension (≥ 600 V). Dans ce contexte, ces travaux constituent une contribution au développement de composants innovants à base de GaN-sur-Si fonctionnant au-delà de 1kV. Nous nous sommes principalement focalisés sur l’amélioration de la tenue en tension de ce type de transistors au travers du développement d’un procédé de gravure localisée du substrat en face arrière permettant de supprimer le phénomène de conduction parasite localisé entre les couches tampons et le substrat. Ce procédé ainsi que l’utilisation de structures d’épitaxie innovantes nous ont permis d’observer une amélioration drastique des performances électriques des transistors à haute tension. Nous avons pu notamment démontrer pour la première fois la possibilité de délivrer des tenues en tension de plus de 3 kV sur cette filière émergente. Ces résultats obtenus, supérieurs à l’état de l’art, laissent envisager l’utilisation des technologies GaN-sur-Si pour les moyennes et hautes gammes de tension (>1000V). GaN-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) on Silicon substrate (GaN-on-Si) are promising candidates for future generations of power converters. Today, technical limitations need to be overcome in order to allow the industrial commercialization of this technology, particularly for high-voltage applications (≥ 600 V). In this frame, this work constitutes a contribution to the development of innovative GaN-on-Si devices operating above 1kV. We mainly focused on the improvement of the blocking voltage of the transistors with the realization of a local substrate removal process with the aim of suppressing the parasitic conduction phenomena between the buffer layer and the substrate. Owing to an improved technological process and innovative epitaxial structures, we observed a drastic improvement of the electrical performances of the transistor under high voltages. In particular, we have been able to demonstrate for the first time a blocking voltage above 3kV for this emerging technology. These results, well beyond the state of the art, pave the way for higher voltage operation GaN-on-Si power devices. Electronic Thesis or Dissertation Text fr PDF 6213327 application/pdf https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/EDSPI/2015/50376-2015-Herbecq.pdf https://theses.fr/2015LIL10152/abes Herbecq Nicolas Herbecq 1989-12-13 FR 192067826 https://theses.fr/2015LIL10152 2015LIL10152 https://doi.org/10.70675/8104ca41z8de1z4ccdz878czd9b5c48871fc 2015-12-15 Micro et Nanotechnologies, Acoustique et Télécommunications Lille 1 026404184 Doctorat Docteur es non oui Haese-Rolland Nathalie MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_1 070952922 Medjdoub Farid MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_2 084651512 École doctorale Sciences pour l'ingénieur (Lille ; 1992-2021) MADS_ECOLE_DOCTORALE_1 147297028 Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie MADS_PARTENAIRE_DE_RECHERCHE_1 138736421 ddc:620 Haese-Rolland Nathalie Medjdoub Farid École doctorale Sciences pour l'Ingénieur (Lille) Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (1992-....) PDF 6213327