Note ABES Caractérisation d’une photodiode germanium sur silicium en vue d’une utilisation source de bruit intégrée térahertz Germanium on Silicon photodiode characterization for THz integrated noise source utilization Circuit photonique intégré 621.382 24 Bruit électrique Mesure Optique intégrée Photodiodes Germanium Transistors bipolaires à hétérojonctions Ondes millimétriques Bruit Aujourd’hui, l’amélioration des fréquences de coupure des transistors MOS et bipolaires ouvre la voie à de nouvelles applications THz (communication et imagerie au-delà de 110 GHz). Des méthodologies de test concernant la caractérisation en bruit hyperfréquence des transistors jusque 170 GHz ont été mises en place dans la cadre du laboratoire commun entre STMicroelectronics et l’IEMN. Cependant, une des limitations principales à la conception d’un outil de caractérisation en bruit au-delà de 170 GHz est le manque de source de bruit état-solide à ces fréquences. Cette thèse propose un nouveau type de source de bruit aux fréquences millimétriques pouvant fonctionner au-delà de 170 GHz, basée sur une solution photonique intégrée sur silicium. Cette source de bruit photonique repose sur l’éclairage d’une photodiode en germanium sur silicium par une source optique qui sera alors convertit en un bruit blanc électrique. Today high frequency MOS and bipolar transistors are opening new opportunities for THZ applications (communication and imagery beyond 110 GHz). High frequency noise characterization test methodologies up to 170 GHz have been set up in a shared collaboration between STMicroelectronics and IEMN laboratory. Nevertheless, one of the most important limitations of noise characterization above 170 GHz is the solid-state noise source lack at these frequencies. This study proposes a new concept of noise source working at millimeter wave frequencies above 170 GHz, based on a photonic integrated on silicon solution. This photonics noise source concept relies on a Germanium-on-Silicon photodiode lighted by an optical source and converting it into an electrical noise. Electronic Thesis or Dissertation Text fr PDF 8614580 text/html https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/EDSPI/2014/50376-2014-Oeuvrard.pdf https://theses.fr/2014LIL10121/abes Oeuvrard Sandrine Oeuvrard 1989-07-18 FR 184242185 https://theses.fr/2014LIL10121 2014LIL10121 https://doi.org/10.70675/0ffd4f80z26c6z482bz85f6z68ae0999c900 2014-11-20 Micro et nanotechnologies, acoustique et télécommunications Lille 1 026404184 Doctorat Docteur es non oui Danneville François MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_1 060251875 Lampin Jean-François MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_2 119595680 Gloria Daniel MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_3 161445691 École doctorale Sciences pour l'ingénieur (Lille ; 1992-2021) MADS_ECOLE_DOCTORALE_1 147297028 Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie MADS_PARTENAIRE_DE_RECHERCHE_1 138736421 STMicroelectronics MADS_PARTENAIRE_DE_RECHERCHE_2 034477365 ddc:620 Danneville François Lampin Jean-François Gloria Daniel École doctorale Sciences pour l'Ingénieur (Lille) Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (IEMN) STMicroelectronics PDF 8614580