Note ABES Growth and characterization of nitride-based semiconductor materials : application to high-speed photodiodes Croissance et caractérisation de matériaux semiconducteurs à base de nitrure : applications à des photodiodes ultra-rapides Lumière visible 621.381 52 Nitrures Propriétés optiques Composés semiconducteurs Propriétés optiques Photodiodes Dispositifs optoélectroniques Couches minces semiconductrices Croissance Dépôt en phase vapeur par organométalliques Rayonnement terahertz Ellipsométrie Spectroscopie résolue en temps L’alliage ternaire InGaN reçoit beaucoup d’attention grâce à son énergie de bande interdite ajustable qui varie entre l’infrarouge et l’ultraviolet. Les matériaux GaN et InGaN sont largement utilisés dans de nombreuses applications telles que des cellules photovoltaïques à haute efficacité, des diodes électroluminescentes ou des diodes laser à forte luminosité allant du bleu au vert ou encore la génération de lumière blanche directe. L’ensemble des propriétés de ce matériau en fait aussi un candidat sérieux pour un certain nombre d’autres applications. Pour concevoir des composants à base d’InGaN, il est cependant vital de déterminer au préalable les propriétés optiques du matériau aux fréquences d’intérêt et il n’existe que très peu voire aucune communication sur les indices du GaN ou de l’InxGa1-xN pour x>0.07. Nous étudions dans cette thèse la croissance par metalorganic chemical vapor deposition et la caractérisation des indices optiques de GaN, d’InN et d’InxGa1-xN avec une concentration en indium variant jusqu’à x=0.14 dans les domaines de fréquence visible et térahertz et discutons la conception et le procédé de fabrication d’une photodiode térahertz ultrarapide. The InGaN compound is a promising ternary alloy system that receives a lot of attentions thanks to its tunable bandgap that varies from the near infrared region to the near ultraviolet region. InGaN/GaN materials have been widely used in various applications like high efficiency solar cells, high-brightness blue to green light emitting diodes or laser diodes as well as non-phosphor based direct white light generation. The unique set of properties of this material also makes it a suitable candidate for a number of other new applications. However, to design efficient InGaN-based devices, it is a prerequisite to know the optical properties of InGaN films at the frequencies of interest and there is currently very little information on the index of GaN and InxGa1-xN with x>0.07. In this thesis, we study and characterize the optical indices of GaN, InN and InxGa1-xN thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition with indium concentration varying up to x=0.14. We discuss the design and fabrication process of an InGaN-based ultrafast terahertz photodiode. Electronic Thesis or Dissertation Text en PDF 6287363 https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/EDSPI/2012/50376-2012-Gauthier.pdf https://theses.fr/2012LIL10015/abes Gauthier-Brun Aurélien Gauthier-Brun 1982-11-14 FR 165186208 https://theses.fr/2012LIL10015 2012LIL10015 https://doi.org/10.70675/c615cdb5z9d39z4b90za4d4zdedf67fce7c1 2012-06-29 Micro et nanotechnologies, acoustique et télécommunications Lille 1 026404184 Doctorat Docteur es non oui Dogheche El Hadj MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_1 124425437 Decoster Didier MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_2 060655992 École doctorale Sciences pour l'ingénieur (Lille ; 1992-2021) MADS_ECOLE_DOCTORALE_1 147297028 Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie MADS_PARTENAIRE_DE_RECHERCHE_1 138736421 ddc:620 Dogheche Elhadj Decoster Didier École doctorale Sciences pour l'Ingénieur (Lille) Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (IEMN) ASCII PDF 6287363